Προσθήκη σχολίου (28 σχόλια)

Η Qualcomm ανακοίνωσε η Samsung θα αναλάβει την κατασκευή του επερχόμενου κορυφαίου mobile επεξεργαστή της πρώτης χρησιμοποιώντας την πλέον σύγχρονη κατασκευαστική μέθοδο της εταιρείας, 10nm FinFET.

Σύμφωνα με την Qualcomm, η νέα κατασκευαστική μέθοδος 10nm FinFET της Samsung θα βοηθήσει ώστε τα chips να καταλαμβάνουν μόνο 30% λιγότερη επιφάνεια και θα προσφέρει 27% υψηλότερη απόδοση ενώ η κατανάλωση θα είναι κατά 40% μειωμένη. Χάρη στο μικρότερο “αποτύπωμα”, οι κατασκευαστές smartphones θα είναι σε θέση να κατασκευάσουν ακόμα μικρότερες συσκευές ή να συμπεριλάβουν στις υπάρχουσες ακόμα περισσότερο εξαρτήματα και δυνατότητες.

 

Ο νέος επεξεργαστής της Qualcomm θα είναι ο πρώτος που θα υποστηρίζει την λειτουργία Quick Charge 4, με την εταιρεία να ισχυρίζεται ότι η φόρτιση θα είναι 20% ταχύτερη (σε πέντε λεπτά φόρτισης πέντε επιπλέον ώρες λειτουργίας) και 30% αποδοτικότερη σε σχέση με το Quick Charge 3, χάρη στην τεχνολογία Dual Charge (parallel charge technology).

 

Το Quick Charge 4 συμπεριλαμβάνει την τρίτης γενιάς τεχνολογίας INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) που παρέχει δυνατότητες thermal management σε πραγματικό χρόνο ενώ παρέχει συμβατότητα με τα πρότυπα USB-C και USB Power Delivery. Η Qualcomm επίσης ανακοίνωσε την διάθεση δύο νέων power management ICs, των SMB1380 και SMB1381 που έχουν χαμηλή αντίσταση και έως και 95% μέγιστη αποδοτικότητα καθώς και χαρακτηριστικά fast charging όπως είναι το battery differential sensing. Το Snapdragon 835 SoC αναμένεται να κάνει την εμφάνιση του σε νέες ναυαρχίδες από το πρώτο μισό του 2017.

 

Link.png Site: GSMArena