Στην ανάπτυξη ενός νέου τύπου μνήμης, εν ενόματι STT MRAM, η αποδοτικότητα αλλά και οι χαμηλές ενεργειακές απαιτήσεις της οποίας ξεπερνούν κατά πολύ αυτές της σημερινής NAND Flash, εργάζονται εδώ και καιρό οι εταιρείες Samsung και IBM.

Οι μνήμες Spin-Transfer Torque Magnetoresistive RAM (STT MRAM) θα κατασκευάζονται στα 11nm και θα προσφέρουν ταχύτητες ανάγνωσης έως και 100.000 φορές υψηλότερες από τις εκείνες των πλέον σύγχρονων NAND Flash, δεν θα καταναλώνουν ηλεκτρική ενέργεια όταν βρίσκονται σε "idle mode" (συντελώντας στην αυξημένη αυτονομία της μπαταρίας του κινητού) και ιδανικά, δεν θα φθείρονται ποτέ.

 

Χαρακτηριστικά, ο χρόνος εγγραφής δεδομένων της νέας μνήμης, σε σχέση με το 1 microsecond που απαιτείται από την μνήμη NAND Flash, δεν θα ξεπερνά τα 10 nanoseconds.

 

Στόχος των δύο εταιρειών, μέσα στα επόμενα χρόνια, είναι η υιοθέτηση της STT MRAM για την κατασκευή ΙοΤ λύσεων και wearables, ενώ, μελλοντικά, δεν αποκλείεται να χρησιμοποιηθεί και στην κατασκευή αρθρωμάτων DRAM μνήμης - αυξάνοντας έτσι τις επιδόσεις και την αυτονομία των συμβατικών PCs.

 


screen-shot-2016-07-11-at-12.30.22-pm-100671290-orig.png

 


Link.png Site: TechPP