Προσθήκη σχολίου (33 σχόλια)

Την προηγούμενη εβδομάδα, η Samsung διοργάνωσε το ετήσιο Foundry Forum στις Η.Π.Α. Στο συνέδριο, η εταιρεία αποκάλυψε το χρονοδιάγραμμά της στην κατασκευή ημιαγωγών και πως σταδιακά θα φτάσει από την μέθοδο 7nm Low Power Plus, στην 5nm Low Power Early και στην συνέχεια στις 3nm Gate-All-Around Early και 3nm Gate-All-Around Plus.

Με τη μετάβαση στη μέθοδο 7nm Low-Power Plus, η Νοτιοκορεάτικη εταιρεία θα χρησιμοποιήσει για πρώτη φορά λιθογραφία ακραίας υπεριώδους ακτινοβολίας (Extreme Ultraviolet Lithography). Η μαζική παραγωγή επεξεργαστών ή system-on-chips με την παραπάνω μέθοδο θα ξεκινήσει μέσα στο πρώτο μισό του 2019.

Εκείνη την εποχή είναι που θα ξεκινήσει και η TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) να χρησιμοποιεί τη μέθοδο 7nm+ και λιθογραφία ακραίας υπεριώδους ακτινοβολίας για να παράγει μαζικά επεξεργαστές και θα ξεκινήσει τις δοκιμές στα 5nm.

Τα chips που θα κατασκευάζονται με μέθοδο 5nm Low Power Early θα καταναλώνουν ελάχιστα ποσά ενέργειας, ενώ μαθαίνουμε ότι τα τελευταία chips που θα είναι τύπου FinFET θα κατασκευαστούν χρησιμοποιώντας μεθόδους 4nm Low Power Early και 4nm Low Power Plus και θα προσφέρουν υψηλότερη απόδοση. Η παραγωγή αναμένεται να ξεκινήσει το 2019 και το 2020 αντίστοιχα.

2017-10-04-image-2.jpg.6a1ce2e8fe0fcacfdb9b147530641274.jpg

Στις αρχές της χρονιάς κάποια μέσα είχαν αναφέρει ότι η Νοτιοκορεάτικη εταιρεία πρόκειται να παράγει στα 7nm το Qualcomm Snapdragon 855 SoC, που θα βρίσκεται και στη σειρά Galaxy S10 ή όπως θα ονομάζεται η σειρά με τις ναυαρχίδες της.

Με την μέθοδο 3nm, η Samsung θα χρησιμοποιήσει την δική της επόμενης γενιάς GAA (Gate All Around) αρχιτεκτονική MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) με την μαζική παραγωγή να μην ξεκινάει πριν από το 2022.

Samsung-4nm-RoadMap-840x522.jpg.2930944fcfb30216748cf814d1d52427.jpg

PhoneArena

 

  • Like 1