Η εταιρεία υποστηρίζει ότι είναι έτοιμη να θέσει σε λειτουργία γραμμές παραγωγής χρησιμοποιώντας τις κατασκευαστικές μεθόδους Intel 20A (κλάση 2nm) και 18A (κλάση 1,8nm) και μάλιστα πριν οι TSMC και Samsung Foundry καταφέρουν να παρουσιάσουν τις δικές τους ανταγωνιστικές μεθόδους κατασκευής. Ο διευθύνων σύμβουλος της εταιρείας, Pat Gelsinger, εκτιμά ότι η κατασκευαστική μέθοδος Intel 18A -η οποία αναμένεται να χρησιμοποιηθεί για τη μαζική παραγωγή προϊόντων το δεύτερο εξάμηνο του 2024- βρίσκεται «λίγο πιο μπροστά» από την τεχνολογία TSMC N2 (κλάση 2nm) που αναμένεται το δεύτερο εξάμηνο του 2025.
Η Intel σκοπεύει να χρησιμοποιήσει τη συγκεκριμένη τεχνολογία όχι μόνο για τα δικά της προϊόντα αλλά και για προϊόντα τρίτων (IFS ή Intel Foundry Services) με αποτέλεσμα για ένα εύλογο διάστημα -εφόσον τηρηθούν τα χρονοδιαγράμματα- να έχει το στρατηγικό πλεονέκτημα. «Έχω (αναπτύξει) καλό τρανζίστορ - έχω εξαιρετική παράδοση ισχύος» δήλωσε ο Pat Gelsinger σε μία συνέντευξή που παραχώρησε στην ιστοσελίδα Barrons. «Νομίζω ότι είμαι λίγο πιο μπροστά από την N2, την επόμενη κατασκευαστική μέθοδο της TSMC» συμπλήρωσε.
Οι κατασκευαστικές μέθοδοι Intel 20A και Intel 18A φέρνουν δύο σημαντικές καινοτομίες στον χώρο της κατασκευής ημιαγωγών: τα τρανζίστορ RibbonFET τύπου Gate-All-Around (GAA) και τον νέο σχεδιασμό παροχής ισχύος PowerVia γνωστό και ως Backside Power Delivery Network (BSPDN) στον οποίο έχουμε αναφερθεί στο παρελθόν.
Ο Intel 20A αναμένεται να είναι ένας σχετικά βραχύβιος κόμβος, ο οποίος θα επιτρέψει στην Intel να μάθει όλες τις ιδιαιτερότητες των GAA και BSPDN, ενώ ο κόμβος Intel 18A προορίζεται να αποτελέσει το σημείο όπου η Intel αναμένει να αποκαταστήσει την ηγετική της θέση στη βιομηχανία κατασκευής ημιαγωγών. Ως εκ τούτου, η εταιρεία έχει εναποθέσει πολλές ελπίδες στον συγκεκριμένο κόμβο κατασκευής.
Η Intel υποστηρίζει ότι τα πρώτα προϊόντα πυριτίου Intel 18A που θα παραχθούν σε εργοστάσιο της αναμένονται το 1ο τρίμηνο του 2024, γεγονός που συνάδει με τις προσδοκίες ότι τα πρώτα προϊόντα που θα κατασκευαστούν με τη συγκεκριμένη μέθοδο θα είναι διαθέσιμα το 2ο εξάμηνο του 2024. Η TSMC από την άλλη, πρόκειται να αρχίσει να κατασκευάζει ημιαγωγούς με την κατασκευαστική μέθοδο N2 κάποια στιγμή μέσα στο 2ο μισό του 2025. Επιπλέον, αν και η μέθοδος N2 της TSMC περιλαμβάνει nanosheets με τρανζίστορς τύπου GAA, εξακολουθεί να χρησιμοποιεί τη λιγότερο αποδοτική παραδοσιακή μέθοδο παροχής ισχύος, την ώρα που η Intel έχει ανακοινώσει την καινοτομική τεχνολογία PowerVIA.
Η TSMC πάντως εξακολουθεί να πιστεύει ότι η βελτιωμένη τεχνολογία N3P, η οποία αναμένεται το 2024, θα προσφέρει συγκρίσιμα χαρακτηριστικά ισχύος, επιδόσεων και πυκνότητας τρανζίστορ με την Intel 18A και ισχυρίζεται ότι η N2 αναμένεται να είναι καλύτερη σε όλους τους τομείς από τις κατασκευαστικές μεθόδους N3P και Intel 18A. O Pat Gelsinger όμως πιστεύει ότι η Intel 18A θα έχει σημαντικά πλεονεκτήματα σε σύγκριση με την N2, ιδίως στον τομέα της απόδοσης τόσο χάρη στα βελτιωμένα τρανζίστορς RibbonFET όσο και χάρη στην τεχνική PowerVIA.
«Πιστεύω ότι όλοι πλέον βρίσκονται σε φάση που εξετάζουν και αξιολογούν το τρανζίστορ N2 της TSMC σε σχέση με το δικό μας 18A» δήλωσε ο Pat Gelsinger. «Δεν υπάρχουν ακόμα αποδείξεις ότι το ένα είναι δραματικά καλύτερο από το άλλο. Θα δούμε ποιος είναι ο καλύτερος. Αλλά με την παροχή ισχύος στην πίσω όψη (PowerVIA), όλοι λένε ότι η Intel έκανε διάνα. Είστε χρόνια μπροστά από τον ανταγωνισμό μας λένε. Και μας δίνει πολύ δύναμη. Έχει πολύ νόημα. Προσφέρει καλύτερο λόγο απόδοσης σε σχέση με τον χώρο που καταλαμβάνει το πυρίτιο, κάτι που σημαίνει χαμηλότερο κόστος. Και επίσης παρέχει καλύτερη παροχή ισχύος, που με τη σειρά του σημαίνει υψηλότερες επιδόσεις».
Ο Pat Gelsinger άφησε επίσης να εννοηθεί ότι το N2 της TSMC θα μπορούσε να καταλήξει να είναι ένας πολύ ακριβός κόμβος παραγωγής, γεγονός που θα δώσει την ευκαιρία στην Intel με τις κατασκευαστικές μεθόδους 20A και 18A να λάβει παραγγελίες στα εργοστάσια της από πελάτες που αναζητούν υψηλότερο λόγο απόδοσης/ κόστους χωρίς να είναι απαραίτητο να κάνουν συμβιβασμούς στα περιθώρια κέρδους τους.
Πως όμως κατάφερε η Intel να προχωρήσει τόσο γρήγορα τα τελευταία χρόνια στις κατασκευαστικές μεθόδους; Η απάντηση είναι περίπλοκη, ωστόσο η εταιρεία ASML με έδρα την Ολλανδία, έπαιξε καθοριστικό ρόλο.
Η ASML ανακοίνωσε ότι απέστειλε πρόσφατα την πρώτη στο είδος της μονάδα κατασκευής με τη χρήση λιθογραφίας ακραίας υπεριώδους ακτινοβολίας (EUV) με αριθμητικό διάφραγμα 0,55 (High-NA) στην Intel. Το πρώτο αυτό μηχάνημα High-NA θα χρησιμοποιηθεί από την τελευταία για να μάθει όλα τα μυστικά της κατασκευαστικής μεθόδου 18A (18 angstroms, κατηγορία 1,8nm), η οποία υπόσχεται να δώσει στον γίγαντα της κατασκευής επεξεργαστών σημαντικό προβάδισμα έναντι των ανταγωνιστών της (TSMC, Samsung Foundry).
Η μονάδα κατασκευής είναι τόσο μεγάλη, που χρειάστηκαν 13 τεράστια κοντέινερ και 250 κιβώτια για τo πακετάρισμα και τη μεταφορά της. Το μηχάνημα θα μετακομίσει από το Veldhoven της Ολλανδίας στο εργοστάσιο της Intel που βρίσκεται κοντά στο Hillsboro του Όρεγκον και θα εγκατασταθεί εκεί για τους επόμενους μήνες. Εκτιμάται ότι κάθε σαρωτής High-NA EUV του μηχανήματος κοστίζει κάπου μεταξύ $300-400 εκατομμυρίων.
Το εργαλείο High-NA EUV που αποστέλλει η ASML στην Intel είναι το πιλοτικό μηχάνημα Twinscan EXE:5000 που είχε παραγγείλει η Αμερικάνικη εταιρεία στην ASML από το 2018. Η μονάδα αυτή θα χρησιμοποιηθεί από την Intel για να μάθει καλύτερα να χρησιμοποιεί τα εργαλεία High-NA EUV για την κατασκευαστική μέθοδο 18A και να αποκτήσει πολύτιμη εμπειρία προτού η ASML αναπτύξει τα μηχανήματα Twinscan EXE:5200 που είναι εμπορικής εφαρμογής και τα οποία μπορούν να χρησιμοποιηθούν για μαζική παραγωγή. Σύμφωνα με πληροφορίες, η Intel πρόκειται να αγοράσει τις έξι από τις δέκα συνολικά τέτοιες μονάδες που θα κατασκευάσει η ASML του χρόνου.
Τα εργαλεία λιθογραφίας High-NA EUV που είναι εξοπλισμένα με φακό 0,55 NA (High-NA) μπορούν να επιτύχουν ανάλυση 8nm, μια αξιοσημείωτη πρόοδος σε σχέση με τα τυπικά εργαλεία EUV με φακό 0,33 NA (Low-NA) που προσφέρουν ανάλυση 13nm. Η τεχνολογία High-NA προβλέπεται να παίξει κρίσιμο ρόλο στις κατασκευαστικές μεθόδους κλάσης 2nm που είτε θα πρέπει να χρησιμοποιούν double patterning λιθογραφία ακραίας υπεριώδους ακτινοβολίας (EUV) Low-ΝΑ είτε single patterning EUV High-ΝΑ.
-
11
-
2
ΣΧΟΛΙΑ (13)
Δημιουργήστε ένα λογαριασμό ή συνδεθείτε για να σχολιάσετε
Πρέπει να είστε μέλος για να αφήσετε σχόλιο
Δημιουργία λογαριασμού
Εγγραφείτε με νέο λογαριασμό στην κοινότητα μας. Είναι πανεύκολο!
Δημιουργία νέου λογαριασμούΣύνδεση
Έχετε ήδη λογαριασμό; Συνδεθείτε εδώ.
Συνδεθείτε τώραΔημοσίευση ως Επισκέπτης
· Αποσύνδεση