AMD 90nm power consumption measured

[phovos]

Στο παρακάτω άρθρο έγινε μέτρηση κατανάλωσης ενός :Α64 3500+ 130nm-A64 3500+ 90nm-P4 3.4 90nm

 

Τα αποτελέσματα ήταν κάτι λιγότερο απο αναμενόμενα αφού δείχνει ότι ο Α64 3500+ 90nm καταναλώνει λιγότερα Watts και λειτουργει σε χαμηλώτερες θερμοκρασίες απ τους άλλους...

 

http://techreport.com/onearticle.x/7417

 

Μάλλον η μετάβαση της AMD στα 0,9 micron αν και καθυστέρησε λίγο κρίνεται επιτυχημενη αφού δε συνοδεύεται από τα "κουσούρια" που παρουσίασαν οι prescott :wink:

[ahristos]

Εννοείς ότι τα αποτελέσματα ήταν κάτι περισσότερο απο αναμενόμενα, αφού αυτός είναι ο κανόνας τόσα χρόνια τώρα. Δεν θα αλλάξουμε τον κανόνα επειδή δεν περπάτησε στον Prescott...

[phovos]

ahristos H metavash sta 90nm sunodeuetai apo auxhsh ths 8ermokrasias leitourgias tou epexergasth(provlhma diarohs hlektroniwn apo th cpu).Auto 8a htan kati fusiologiko to 8ema prin emfanistoun oi neoi AMD htan kata poso 8a auxi8oun oi 8ermokrasies tous sugkritika me tous prescott(egw fovomoun oti 8a ftasoun sta idia epipeda...)kai twra diapistwnw oti einai pio psuxroi apo kai apo tous athlon64 se 130nm!!!

[billpeppas]

to research tis AMD paei poly kala apo oti fainetai

[spock]

Να ευλογείτε τη συνεργασία με IBM, γιατί η λύση στο καίριο πρόβλημα διαρροής είναι η Silicon-On-Insulator (aka SOI) τεχνολογία που χρησιμοποιούν παρέα. Επ'ίσης, η αρχιτεκτονική των 90nm processors χρησιμοποιεί πιό αργά, αλλά και με πολύ λιγότερο leak transistors σε τμήματα του επεξεργαστή που δεν είναι κρίσιμα από άποψη ταχήτητας, και περιορίζουν τη χρήση γρήγορων (και με περισσότερο leak) transistors στα τμήματα του επεξεργαστή που χρειάζεται ταχύτητα.

Τέλος, η εμμονή της Intel στα 3-gate transistors τα οποία είναι μεν γρήγορα, αλλά εμφανίζουν και τεράστια διαφυγή ηλεκτρονίων, έχει οδηγήσει στα παρατηρούμενα αποτελέσματα.

Σε λίγο καιρό αναμένεται και η βελτιωμένη έκδοση του Silicon-On-Insulator, με ακόμη καλύτερα αποτελέσματα!

Enjoy!

[pseira]

Mallon brikame to prwto deigma me ton filo pou exei temps 12c/20c

[ahristos]

Ας μην ξεχνάμε ότι ο Prescott έχει τα διπλάσια τρανσίστορ και δουλεύει 1GHz ψηλότερα. Αν τα πάρουμε αυτά υπ' όψη δεν φαίνεται και τόσο άσχημη η ανάλογη της SOI τεχνολογία που χρησιμοποιεί η Intel, απλώς έπρεπε να λύσει αυτό το πρόβλημα πρώτα και μετά να προχωρήσει. Αλλά όλοι ξέρουμε ότι στριμώχτηκε λίγο τον τελευταίο καιρό και έκανε βιαστικές κινήσεις (επανασχεδιασμός του πυρήνα και μετάβαση στα 90nm).

Τα αποτελέσματα επιμένω ήταν αναμενόμενα, γιατί η AMD είχε έτοιμη την τεχνολογική πλατφόρμα (A64) και η μετάβαση στα 90nm ήρθε όταν ήταν έτοιμη η τεχνολογία. Έκανε απλώς μείωση μεγέθους του τσιπ και έτσι το κέρδος από την μείωση της κατανάλωσης (λόγω της μείωσης της αντίστασης) υπερκέρασε την αύξηση (λόγω μείωσης της αποτελεσματικότητας των μονωτών).

[KWSN_Men]

Να ευλογείτε τη συνεργασία με IBM' date=' γιατί η λύση στο καίριο πρόβλημα διαρροής είναι η Silicon-On-Insulator (aka SOI) τεχνολογία που χρησιμοποιούν παρέα. Επ'ίσης, η αρχιτεκτονική των 90nm processors χρησιμοποιεί πιό αργά, αλλά και με πολύ λιγότερο leak transistors σε τμήματα του επεξεργαστή που δεν είναι κρίσιμα από άποψη ταχήτητας, και περιορίζουν τη χρήση γρήγορων (και με περισσότερο leak) transistors στα τμήματα του επεξεργαστή που χρειάζεται ταχύτητα.

Τέλος, η εμμονή της Intel στα 3-gate transistors τα οποία είναι μεν γρήγορα, αλλά εμφανίζουν και τεράστια διαφυγή ηλεκτρονίων, έχει οδηγήσει στα παρατηρούμενα αποτελέσματα.

Σε λίγο καιρό αναμένεται και η βελτιωμένη έκδοση του Silicon-On-Insulator, με ακόμη καλύτερα αποτελέσματα!

Enjoy![/quote']

 

Ακριβώς :wink:

[spock]

@ahristos:

Μα, τι λες; Μείωση του μεγέθους συνεπάγεται αύξηση της αντίστασης! Μη λέμε ότι θέλουμε εδώ.

Η "έτοιμη τεχνολογική πλατφόρμα" δεν ισχύει για την Intel; Το οτι οι P4 έχουν πολύ περισσότερα transistors δεν οφείλεται πουθενά αλλού παρά μόνο στην ηλίθια αρχιτεκτονική της Intel που έβαλε 31 (!!!) pipeline stages στον επεξεργαστή! Όπως πολύ σωστά λέει ο θυμόσοφος λαός μας, οι μ@λ@κίες πληρώνονται!

Βέβαια, όπως μπορείτε να διαβάσετε, και η AMD ετοιμάζει βελτιώσεις στον πυρήνα, όπως ενσωμάτωση SSE3, βελτιωμένο memory controller και data prefetch, χαμηλότερη κατανάλωση σε halt και speedstep modes, βελτίωση στους αλγορίθμους branch prediction και αρκετές άλλες.

Και από που κι ως που η Intel χρησιμοποιεί τεχνολογία ανάλογη του Silicon-On-Insulator; Η Intel το μόνο που έχει προς αυτή την κατεύθυνση είναι το λεγόμενο "black diamond", το οποίο όμως δεν έχει καμμία σχέση, και βέβαια, μία τελείως αποτυχημένη απόπειρα αντιγραφής του SOI, τη λεγόμενη "strained-silicon", σύμφωνα με την οποία προσθέτει ένα στρώμα SiGe (πυρίτιο νοθευμένο με γερμάνιο) αλλά δεν το αφαιρεί, ενώ η IBM..... αλλά παώ μακριά. Το θέμα είναι πως η Intel πάλι μαντάρα τα έκανε, ενώ η IBM/AMD τα πάνε μιά χαρά, στο ίδιο θέμα.

To όνομα της νέας μεθόδου κατά IBM/AMD: SSDOI - Strained Silicon Directly On Insulator !

Το οτι ήταν αναμενόμενα, για τους γνωρίζοντες πράγματι ήταν. Αυτό που δεν ήταν αναμενόμενο ήταν το κατόρθωμα της Intel να βγάλει επεξεργαστή με μικρότερη λιθογραφία και μεγαλύτερη κατανάλωση!

Με τις υγείες τους!

[Paladin-}LoA{-]

Mallon brikame to prwto deigma me ton filo pou exei temps 12c/20c

 

Αν είναι πραγματικές αυτές οι θερμοκρασίες (που δεν το κόβω) γιατί δε δοκιμάζετε passive cooling με σκέτο ψύκτρα;

:wink:

[lithros]

Παίδες για ρίξτε μία ματιά και σε αυτό το άρθρο

http://www.sudhian.com/showdocs.cfm?aid=610

Νομίζω είναι αρκετά διαφωτιστικό για το πέρασμα της AMD από τα 130 στα 90nm και την έκλυση θερμότητας των chip της.

Αξιοσημείωτο είναι ότι τα chip των 90nm θερμένοναι πιό πολύ από αυτά των 130nm και εξηγεί ακριβώς έναν έναν τους λόγους.